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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: MIP0223SY à MJ11015G (Page 275 sur 485)

Circuit intégré MIP0223SY

MIP0223SY
22.12€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré MIP0223SY. IPD POWER DEVICE 700V 1.15A 30W. Boîtier: TO-220. lLmit: 1A. Résistance Drain-Source Rds(on): 8.5 Ohms. Fréquence d'horloge: 100kHz. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA.

 
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Circuit intégré MIP164

MIP164
28.39€ TTC
1 En stock
1 En stock

Circuit intégré MIP164. IPD POWER DEVICE 700V 1.62A 3p. lLmit: 1.62A. Résistance Drain-Source Rds(on): 4.5 Ohms. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA. Fréquence d'horloge: 100kHz

 
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Circuit intégré MIP2E2DMP

MIP2E2DMP
15.57€ TTC
1 En stock
1 En stock

Circuit intégré MIP2E2DMP. IPD POWER DEVICE. Boîtier: DIP8-7. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA.

 
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Circuit intégré MIP2E3DMY

MIP2E3DMY
16.41€ TTC
11 En stock
11 En stock

Circuit intégré MIP2E3DMY. IPD POWER DEVICE 700V 1A 3p. lLmit: 1A. Résistance Drain-Source Rds(on): 8.5 Ohms. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA. Vc: 10V

 
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Circuit intégré MIP2E4DMP

MIP2E4DMP
14.06€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré MIP2E4DMP. IPD POWER DEVICE. Boîtier: DIP-8-7. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA.

 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré MIP2E4DMY

MIP2E4DMY
11.37€ TTC
27 En stock
27 En stock

Circuit intégré MIP2E4DMY. IPD POWER DEVICE 700V 1.5A 3p. lLmit: 1.5A. Résistance Drain-Source Rds(on): 5.8 Ohms. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA. Vc: 10V

 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré MIP2E5DMY

MIP2E5DMY
16.63€ TTC
2 En stock
2 En stock

Circuit intégré MIP2E5DMY. IPD POWER DEVICE 700V 2.4A 3p. lLmit: 2.0A. Résistance Drain-Source Rds(on): 4.0 Ohms. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA. Vc: 10V

 
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Circuit intégré MIP2F20MSSCF

MIP2F20MSSCF
13.10€ TTC
20 En stock
20 En stock

Circuit intégré MIP2F20MSSCF. IPD POWER DEVICE. Boîtier: DIP8-7. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA.

 
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Circuit intégré MIP2F4

MIP2F4
19.66€ TTC
1 En stock
1 En stock

Circuit intégré MIP2F4. IPD POWER DEVICE. Boîtier: DIP8-7. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA.

 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré MIP2H2

MIP2H2
14.56€ TTC
6 En stock
6 En stock

Circuit intégré MIP2H2. IPD POWER DEVICE. Boîtier: DIP8-7. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA.

 
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Circuit intégré MIP2M4

MIP2M4
32.09€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré MIP2M4. IPD POWER DEVICE. Boîtier: DIP8-7. Constructeur: MATSUSHITA.

 
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Circuit intégré MIP3E3SMY

MIP3E3SMY
17.30€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré MIP3E3SMY. IPD POWER DEVICE 700V 1A 3p. lLmit: 1A. Résistance Drain-Source Rds(on): 6.0 Ohms. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA. Vc: 8V

 
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Circuit intégré MIP3E4MY

MIP3E4MY
15.74€ TTC
6 En stock
6 En stock

Circuit intégré MIP3E4MY. IPD POWER DEVICE. Boîtier: TO-220.

 
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Circuit intégré MIP3E7MY

MIP3E7MY
23.63€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré MIP3E7MY. IPD POWER DEVICE. Boîtier: TO-220A. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA.

 
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Circuit intégré MIP4110MSSCF

MIP4110MSSCF
32.42€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré MIP4110MSSCF. IPD POWER DEVICE. Boîtier: DIP8-7. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA.

 
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Circuit intégré MIP414SMSSCF

MIP414SMSSCF
42.00€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré MIP414SMSSCF. IPD POWER DEVICE 700V 1A 10-15W. Boîtier: DIP7-A1. Input: 85-264V. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA. Panasonic DVDS53P

 
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Transistor MJ10005

MJ10005
14.11€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor MJ10005 bipolaire NPN Darlington. Uce=400. Ic=20A. hFE=40-600. 175W. TO-3.

 
 
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Transistor NPN MJ10008

MJ10008
16.52€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN. Darlington. Diode de roue-libre intégrée 650/450V 20A/30Ap 175W

 
 
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Transistor MJ10015

MJ10015
46.37€ TTC
9 En stock
9 En stock

Transistor NPN Darlington + diode. Tension collecteur-émetteur maxi: 400V. Courant de collecteur maxi: 50A. Boîtier: TO-3. Gain Hfe: 25.

 
 
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Transistor MJ10021

MJ10021
45.75€ TTC
3 En stock
3 En stock

Transistor NPN Darlington + diode. Tension collecteur-émetteur maxi: 250V. Courant de collecteur maxi: 60A. Boîtier: TO-3. Gain Hfe: 75-1000. Puissance: 250W.

 
 
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Transistor MJ11015G

MJ11015G
16.41€ TTC
10 En stock
10 En stock

Transistor PNP Darlington MJ11015G (+diode). Tension collecteur-émetteur maxi: 120V. Courant de collecteur maxi: 30A. Boîtier: TO-3 (TO-204). Gain Hfe:1000 (IC=20Adc. VCE=5Vdc). Paire: MJ11016. Fréquence maxi: 4MHz. Puissance: 200W

 
 
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